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三星第五代V-NAND闪存芯片开始批量生产
http://www.ele001.com 2018-07-11 17:27:20 21ic
【中国电工电气网】讯

  近日,三星电子正式宣布已开始批量生产其第五代V-NAND 3D堆叠闪存芯片,采用96层堆叠设计,与前一代产品相比容量和速度都有大幅提升。它还业内首次使用了Toggle DDR 4.0接口界面。

  与前一代产品达到1.4Gbps的峰值相比,后者使存储和RAM之间的传输速度提高了40%。但随着更好的性能,电压从1.8V降至1.2V。

  新的V-NAND还具有最快的数据写入速度,延迟仅为500微秒,这是在写上一代的速度提高了30%,而响应时间读信号已显着降低到50μS(微秒)。

  第五代V-NAND芯片的构建与之前的相似,它配备了90层的3D TLC CTF闪存存储单元。它们堆叠成金字塔状结构,中间有微小孔。这些孔用作通道,尺度仅有几百微米宽,包含超过850亿个CTF单元,每个单元存储多达3比特数据,单Die容量达256Gb(32GB)。

  三星将迅速扩大其第五代V-NAND生产以满足市场的广泛需求,将应用在如超级计算机、企业服务器和最新的移动应用等高级智能手机方面。

  三星还透露,正在开发1Tb(128GB)容量的QLC V-NAND闪存颗粒。

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